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onsemi FQP22N30
| Artikelnummer: | FQP22N30 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi FQP22N30 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP22N30.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 10.5A, 10V Verlustleistung (max) 170W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) Grundproduktnummer FQP22 FQP22N30 Einzelheiten PDF [English] FQP22N30 PDF - EN.pdf -
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